• AlGaN/GaN基HEMT材料性能与测试技术的研究

    AlGaN/GaN基HEMT材料性能与测试技术的研究

    论文摘要高电子迁移率晶体管被公认为微波/毫米波器件和电路领域中最有竞争力的三端器件,它不仅具有优异的低噪声特性,而且具有出色的功率性能,将彻底改变以相控雷达为代表的军用电子装备...