![InAs/GaAs量子点半导体光放大器理论研究与量子点制备]()
论文摘要半导体光放大器(SOA)在光放大和全光信号处理领域中的应用十分广泛,对其特性进行改善显得尤为重要。SOA中的各种特性本质上与有源区中载流子的带内和带间特性有关,而载流子...
![硅衬底上GaN外延层和AlGaN/GaN异质结的MOCVD生长研究]()
论文摘要随着商业化氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）、激光器（LD）和高电子迁移率晶体管（HEMT）的相继推出,性能卓越的GaN基器件引起了广泛的关注。然而,过高的成本和大...
![液相源金属有机物化学气相法制备YBCO高温超导薄膜]()
论文摘要YBa2Cu3O7-δ高温超导材料在超导发电机、电动机、强场磁体、限流器、储能系统等方面有着广泛的应用前景。但是直接在柔性的金属Ni基带上制备YBCO涂层导体难度很大,...
![MOCVD设备反应室的设计与分析]()
论文摘要金属有机物化学气相淀积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,简称MOCVD)自20世纪60年代首次提出以来,经过70年代至80年代的...
![MOCVD设备气体输运与加热控制系统设计]()
论文摘要随着半导体技术的不断发展,半导体材料得到了广泛的使用,尤其是宽禁带的Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料在发光二极管、激光器、光探测器和大功率电子器件等方面都有着很好的应...
![MgZnO薄膜材料的MOCVD法生长、退火及其发光器件研究]()
论文摘要ZnO是具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙半导体材料，室温带宽约为3．37eV，激子束缚能为60meV。ZnO和GaN的能带间隙和晶格常数非常接近，可互相提供缓冲层，有相近...
![ZnO薄膜p型掺杂的研究及ZnO纳米点的可控生长]()
论文摘要氧化锌（ZnO）是一种新型的宽禁带化合物半导体材料,具有直接带隙能带结构,室温禁带宽度为3.37eV,对应于近紫外光波段。另外,ZnO还具有60meV的高激子束缚能,其...
