绝缘衬底上的硅论文

纳米SOI MOSFET器件性能仿真和新器件结构研究
论文摘要集成电路不断向着高集成度的方向发展,伴随器件尺寸的缩小,短沟道效应对器件性能的影响也日益严重,成为制约器件进一步小型化的主要因素。为了实现更好的电路性能,抑制短沟道效应...