绝缘体上的硅论文

SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究
论文摘要随着芯片制造业遵循摩尔定律向大尺寸晶圆450mm、光刻线宽nm级、高精度、高效率、低成本发展，集成电路也逐步从微电子时代发展到微纳米电子时代，现有的体硅材料和工艺正接近...
RF MEMS器件集成及其功能材料应用研究
论文摘要由于在低阻Si衬底上制作微波无源器件的损耗极大,且衬底电阻率越低,损耗越大,且所制作的Si器件的工作频率受到了限制,因此几乎无法在低阻硅表面上直接制作微型CPW传输线和...
新结构SOI材料与器件物理研究
论文题目:新结构SOI材料与器件物理研究论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:朱鸣导师:林成鲁,朱剑豪关键词:绝缘体上的硅,自加热效应,浮体效应,等离子体浸没式...