绝缘体上的锗硅论文

SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究
论文摘要随着芯片制造业遵循摩尔定律向大尺寸晶圆450mm、光刻线宽nm级、高精度、高效率、低成本发展，集成电路也逐步从微电子时代发展到微纳米电子时代，现有的体硅材料和工艺正接近...
SGOI材料的SIMOX制备技术研究
论文题目:SGOI材料的SIMOX制备技术研究论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:陈志君导师:张峰关键词:掩盖注氧隔离技术,氧化增强注氧隔离技术,绝缘体上的锗...
厚膜SOI材料和SiGeOI材料制备研究
论文题目:厚膜SOI材料和SiGeOI材料制备研究论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:程新利导师:邹世昌,张峰关键词:厚膜绝缘体上的硅,绝缘体上的锗硅,注氧隔...