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深亚微米级集成电路用大直径CZSi单晶中微缺陷的研究
论文摘要随着集成电路的飞速发展,特征尺寸不断缩小,对硅材料质量提出了越来越高的要求,当衬底材料的缺陷尺寸为ULSI特征线宽的1/3以上时,就成为致命的缺陷,会导致器件失效。如今...
快速热处理对大直径直拉硅中空洞型微缺陷及清洁区的影响
论文摘要本文分别利用Ar,N2,N2/O2(9%),N2/O2(14%)和O2作为退火气氛,研究了高温快速热处理对大直径直拉硅片中空洞型微缺陷FPDs的退火行为。研究发现,不同...