• 0.35um工艺MCU电路ESD耐量优化和保护应用

    0.35um工艺MCU电路ESD耐量优化和保护应用

    论文摘要随着半导体工艺技术的发展,器件特征尺寸已缩减到深亚微米阶段,以增进集成电路的性能及运算速度,以及降低每颗芯片的制造成本。但因为器件尺寸的缩小,使深亚微米集成电路对静电放...