空位型缺陷论文

电子辐照直拉硅单晶中空位相关缺陷的红外吸收光谱研究
论文摘要电子辐照会在晶体硅中引入点缺陷空位和间隙原子，它们与硅中氧原子或者缺陷之间相互作用形成VO、VO2等空位型缺陷。因此研究单晶硅的电子辐照效应和辐照缺陷的控制与利用具有重...
6H-SiC表面热氧化生长的SiO2特性研究
论文摘要碳化硅（SiC）是一种具有较大的电子饱和漂移速度、高临界击穿电场和高热导率的宽禁带化合物半导体材料。它是目前唯一能够由直接热氧化工艺生长氧化层的化合物半导体,其器件工艺...