跨导论文

AlInN/GaN异质结薄膜生长和双沟道HEMT电学特性研究
论文摘要III-V族氮化物作为具有广阔应用前景的第三代半导体材料,近年来成为半导体光电子学和微电子学研究的热点。在这些III-V族氮化物中Al1-xInxN材料又成为这些研究中...
SOI-LDMOS器件的结构设计
论文摘要射频（RF）电路的应用越来越多,以横向双扩散金属-氧化物场效应晶体管（LDMOS）技术为基础的功率晶体管作为RF电路的重要组成部分,在整个RF电路中起着重要的作用。体硅...
复合多晶硅栅LDMOS器件的结构设计与电学特性分析
论文摘要近年来，随着以蜂窝式移动通信为主的通信市场爆炸式的增长，人们对于性能优异的RFLDMOS器件的需求越来越广泛，例如通讯基站使用的发射放大器，其工作频率在900MHz到2...
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的模型研究
论文摘要氮化镓（GaN）是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一,其化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝光、...