![高温快速热处理对直拉硅单晶中杂质行为的影响]()
论文摘要快速热处理（RTP）作为一种敏捷制造手段,近十年来在直拉硅片内吸杂工艺中得到很好的应用,其根本原因在于高温RTP引入的空位能增强直拉硅片的氧沉淀且空位浓度的深度分布可以...
![纳米Ta基阻挡层的制备及性能研究]()
论文摘要随着集成电路集成度的不断提高及特征尺寸的持续减小,研发低电阻率金属导线和低介电常数介质组成的新型金属互连体系以取代传统的A1互连体系成为必然的选择。Cu由于其低的电阻率...
![快速热处理对直拉单晶硅中氧沉淀和内吸杂的影响]()
论文摘要集成电路特征线宽的不断减小对直拉（CZ）单晶硅片中的缺陷控制和内吸杂技术提出了愈来愈高的要求。在这种情况下,基于氧沉淀的内吸杂工艺在不断地改进。国际著名的硅片供应商——...
![p型导电ZnO：（Al，N，H）薄膜的制备及性能研究]()
论文摘要ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,由于ZnO具有很高的激子束缚能（室温下为60meV）,激子增益可达到300cm-1,是一种可能的短波长发光器件材料,在...
![深亚微米级集成电路用大直径CZSi单晶中微缺陷的研究]()
论文摘要随着集成电路的飞速发展,特征尺寸不断缩小,对硅材料质量提出了越来越高的要求,当衬底材料的缺陷尺寸为ULSI特征线宽的1/3以上时,就成为致命的缺陷,会导致器件失效。如今...
![直拉硅单晶的氧沉淀及内吸杂的研究]()
论文摘要直拉硅（CZ）单晶广泛地用于集成电路的制造中,一个很重要的原因就是它具有与氧沉淀及其诱生缺陷相关的内吸杂（IG）功能。在器件制造的过程中,硅片中产生的氧沉淀及其诱生缺陷...
