快中子辐照论文

快中子辐照直拉硅辐照缺陷的研究
论文摘要本文对快中子辐照直拉硅的辐照缺陷在退火过程中的转化机制和辐照缺陷对高温退火后氧化诱生缺陷的影响进行了研究。实验结果表明对快中子辐照直拉硅进行100℃-700℃短时热处理...
快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷研究
论文摘要本文中利用傅立叶红外光谱仪(FTIR)、光学显微镜和透射电子显微镜(TEM)观察的方法,研究了辐照剂量、退火条件等因素对快中子辐照直拉硅(CZSi)中氧沉淀及诱生缺陷形...