论文摘要随着集成电路特征尺寸的不断减小,后端铜互连工艺中扩散阻挡层的厚度也要不断减薄。而使用传统的Ta/TaN双层结构作扩散阻挡层时,减薄厚度会使得RC延迟增加并带来可靠性方面...
论文摘要随着集成电路特征尺寸的缩小,互连RC延迟和可靠性已成为制约芯片性能和可靠性的主要因素,因此需要研究新的材料和工艺。粘附层/阻挡层材料由于能够提高Cu在扩散阻挡层材料上的...
论文摘要本文以实验为基础研究了Au/NiFe/CuUBM镀层工艺对Sn-Ag-Cu软钎料润湿性的影响,结合扩散理论分析了焊盘UBM层中镍扩散的机理。为阻挡Ni的扩散,探讨了焊盘...
论文摘要当集成电路工艺特征尺寸到达45nm节点及以下时,铜互连工艺中的RC延迟因受尺寸缩小规则影响而迅速增大,并由此对半导体器件的速度及可靠性产生威胁而成为一个巨大挑战。为寻求...
论文摘要低碳钢有较高的塑性、强度和价格低廉而广泛用于许多领域,但是由于耐腐蚀性差、耐磨性能不强很大程度上限制了其在许多要求较高领域的应用。采用低碳钢表面电沉积其他金属可以取长补...
论文摘要随着集成电路器件尺寸的持续缩小,互连延迟越来越成为制约集成电路发展的瓶颈问题。在32nm及以下技术节点,互连工艺中磁控溅射制备的Ta/TaN双层结构扩散阻挡层和铜籽晶层...
论文题目:等离子体浸没注入对Ta薄膜的改性及Cu/Ta-X/SiO2体系失效机理研究论文类型:博士论文论文专业:材料物理与化学作者:江素华导师:宗祥福关键词:互连,扩散阻挡层,...