临界电荷论文

栅氧退化效应下SRAM软错误分析与加固技术研究
论文摘要目前,集成电路制造工艺进入纳米时代,软错误问题已经成为影响集成电路可靠性的主要因素。同时,栅氧化层厚度随着工艺进步逐渐减小,栅氧退化效应对软错误问题的影响也日益严重。因...