硫掺杂纳米线论文

硫掺杂氧化锌纳米线的制备及性质研究
论文摘要ZnO是一种重要的宽禁带隙（Eg=3.3eV）半导体材料,它的激子束缚能高达60meV。因此,氧化锌材料在紫外光电器件方面有巨大的应用潜力。近年来在短波长发光器件、光探...