六方纤锌矿结构论文

GaN纳米材料的CVD制备与研究
论文摘要氮化镓（GaN）是宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的代表,其禁带宽度为Eg=3.4eV,具有高饱和电子漂移速度、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高硬度等特性,是制作高效...
氮化镓一维纳米材料及薄膜的制备与表征
论文摘要氮化镓（GaN）是一种优良的直接宽带隙Ⅲ-V族化合物半导体材料,是当前世界上最先进的半导体材料之一。室温下氮化镓的禁带宽度为3.39eV,具有高熔点、高临界击穿电场和高...