![氮化物半导体量子点中的束缚极化子、激子及应变效应]()
论文摘要本文针对以AlN、GaN和InN为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光方面以及低维结构中所体现出来的极化效应以及单轴异性等其他特性,首先在有效质量近似下利用变分法研究有...
![应力对h-BN的电子和光学性质的调制效应]()
论文摘要六角氮化硼是一种层状的宽带隙半导体材料,由于其类似于石墨的结构特征和在光电器件方面的潜在应用,已经受到大家广泛关注。随着实验上六角氮化硼单晶的成功制备,使其器件化成为可...
![外电场下球形量子点中杂质态、束缚极化子结合能及其压力效应]()
论文摘要本文在有效质量近似下,研究了外电场及流体静压力下有限高势垒半导体球形量子点中杂质态的结合能；利用Lee-Low-Pines（LLP）变分方法研究了外电场下局域和半空间L...
![压力下光学声子对应变纤锌矿AlN/GaN异质结中电子迁移率的影响]()
论文摘要本文采用将变分法与求解力平衡方程相结合的方法,在光学声子散射起主要作用温区,从理论上讨论在其散射下,应变纤锌矿AlN/GaN单异质结中电子的迁移率及其应变和压力效应.考...
![应变GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应]()
论文摘要近十年来,诸如AIN、GaN和InN等闪锌矿和纤锌矿Ⅲ-族氮化物半导体材料在发光二极管和激光二极管等器件制备方面的应用日益丰富,其低维结构的研究成为理论界的热点问题之一...
![代晓梅：流体静压力对纤锌矿AlyGa1-yN/AlxGa1-xN三角量子阱中极化子效应的影响论文]()
本文主要研究内容作者代晓梅,潘虹宇,赵凤岐（2019）在《流体静压力对纤锌矿AlyGa1-yN/AlxGa1-xN三角量子阱中极化子效应的影响》一文中研究指出：研究了纤锌矿Al...
