理想因子论文

AlGaN/GaN HEMT肖特基接触技术研究
论文摘要肖特基接触是AlGaN/GaNHEMT的关键因素之一,国内外对其还鲜有研究,本文对AlGaN/GaN异质结上的肖特基接触作了详细的研究。首先,在经典的肖特基电流输运理论...
高性能AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的研究
论文摘要肖特基接触是AlGaN/GaNHEMT制备中的关键工艺之一,提高肖特基势垒高度、减小理想因子和泄漏电流可以提高器件的击穿电压,进而改善器件功率特性,良好的肖特基接触特性...