漏电流论文

论文摘要静态随机存储器(SRAM)因其快速存取,高可靠性及其与逻辑电路的兼容性在目前的系统级芯片(SOC)中占据了非常重要的位置。随着工艺的不断进步,SRAM的面积及功耗在SO...

论文摘要随着社会的发展,用电设备和用电量激增,由此引发的电气火灾在各类火灾中所占的比例越来越高,造成的损失也越来越严重,而预防电气火灾最有效的方法就是安装电气火灾监控系统。目前...

论文摘要随着半导体工艺技术不断先进,集成电路的功率密度不断增大,芯片的工作温度亦随之升高,进而热问题成了限制集成电路发展的障碍之一。另一方面,温度的升高会影响芯片内器件的电特性...

论文摘要随着多晶硅薄膜晶体管（TFT）技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为迅速。多晶硅薄膜由大量晶粒组成,各晶粒...

论文摘要上世纪90年代以后,随着微电子技术和计算机工业迅速的发展,具有高存储密度和存取速度、抗辐射、非挥发等特点的铁电薄膜存储器受到了人们的广泛关注。锆钛酸铅（PZT）系铁电材...

论文摘要由于在非挥发性存储器中具有良好的应用前景,近年来,铁电材料一直是研究的热点。与传统存储器相比,铁电存储器最突出的优点是具有良好的抗辐射性能,这使其特别适合于航空航天和军...

论文摘要相对论磁控管的工作电流较大的时候,工作电流所产生的角向磁场将对电子产生一个轴向的漂移力,使得电子在产生高功率微波之前就漂移出谐振腔,导致相对论磁控管的整体效率下降。本文...

论文摘要BST薄膜具有高介电系数、低漏电流密度、居里温度可调以及优异的热释电性能等优点,可被广泛应用于非制冷红外探测器、动态随机存储器、高介电常数电容器、介质移相器等电子信息领...

论文摘要动态随机存储器（DRAM）具有很低的单元存储成本和很高的集成密度,使它成为了商用中最广泛使用的半导体存储器。最近几年,随着计算机硬件和软件的快速发展,对先进的计算动态随...

论文摘要本文系统研究了CaCO3、Fe2O3和CuO掺杂对ZnO-Bi2O3-Sb2O3-Co2O3-MnO2-Cr2O3系压敏陶瓷的电性能的影响；测量了CaCO3、Fe2O3...

论文摘要钽铌酸钾（KTN）材料具有非凡的电光效应和热释电效应,作为一种无铅的碱金属铌酸盐备受铁电压电材料研究领域的关注,但KTN材料的电导率及漏电流较高,难于极化和器件化,使其...

论文摘要在超大规模集成电路制造过程中,静电吸盘（ESC）以其良好的热传导性及较少的缺陷产生率已经广泛应用于ETCH,CVD等制造工艺中。ESC除了有夹持晶圆,冷却晶圆的作用外,...

论文摘要碲锌镉（CdZnTe）晶体是制作室温γ射线及X射线探测器的优良材料,晶体平均原子序数高,对射线的阻止本领强;禁带宽度大,电阻率高,漏电流较小;载流子的迁移率——寿命积较...

论文摘要本论文对机械抛光的CdZnTe晶片表面化学抛光、化学钝化及接触电极制备原理与方法进行了研究。通过对比实验发现，用2％Br-MeOH对CdZnTe晶片表面进行化学抛光，腐...

论文摘要多铁材料又被称为磁电材料,是指在一定的温度范围内表现出共存的铁电有序和磁性有序的材料,该材料被认为同时在铁电和磁性器件方面具有重要的应用前景。因为磁性和铁电性的共存又使...

论文摘要LHCb是将要在CERN(欧洲粒子物理中心)的LHC(大型强子对撞机)上运行的4个大型物理实验之一。在LHCb实验外部径迹室的前端电子学模块中,高压电路板提供分配稻草管...

论文摘要硒化镉（CdSe）是直接跃迁宽禁带隙的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料。由于它具有平均原子序数较高,禁带宽度较大,晶体中电子和空穴迁移率较大,载流子迁移率-寿命积较大等良好的物...

论文题目:掺镧（钐）Bi2Ti2O7薄膜的制备及其性能研究论文类型:博士论文论文专业:材料学作者:杨雪娜导师:黄柏标关键词:掺镧衫薄膜,化学溶液分解法,介电常数,漏电流文献来源...

本文主要研究内容作者黄文斌,孙炎（2019）在《传感器用聚氨酯灌封胶的电性能及热响应研究》一文中研究指出：借助一种结构简化后的温度传感器,通过测试传感器的热响应时间和漏电流,研...

本文主要研究内容作者夏昌其,钟春燕,李自立（2019）在《纳米Bi2O3掺杂对ZnO压敏电阻片电学性能的影响》一文中研究指出：为获得电学性能优异、生产成本低的ZnO压敏电阻片,...