铝镓氮论文

AlGaN/GaN HEMT功率器件测试及封装技术研究
论文摘要近年来,随着半导体技术的飞快发展,以及材料生长技术的突破,氮化镓（GaN）作为第三代半导体,已逐渐显示出其优势,二维电子气密度大和饱和电子迁移率高等,基于氮化镓（GaN...
适用于日盲紫外探测器的高Al组分n型AlGaN的生长
论文摘要利用有机金属化学气相沉积（MOCVD）的方法,在高质量的铝氮（AlN）模板和铝氮/铝镓氮超晶格（AlN/AlGaNSLs）上,通过改变[TMA/（TMa+TMG）]的流...
AlGaN/GaN基HEMT材料性能与测试技术的研究
论文摘要高电子迁移率晶体管被公认为微波/毫米波器件和电路领域中最有竞争力的三端器件,它不仅具有优异的低噪声特性,而且具有出色的功率性能,将彻底改变以相控雷达为代表的军用电子装备...
AlGaN/GaN HEMT微波功率特性研究
论文摘要随着微波系统的发展，对固态功率放大器件的性能要求越来越高，现有的GaAs功率器件已经越来越不能满足系统的要求。作为下一代固态微波功率器件，AlGaN／GaNHEMT具有...