埋沟论文

4H-SiC埋沟MOSFET的高频小信号特性研究
论文摘要SiC材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性,这些特性决定了它在高温、大功率、高频和抗辐照等方面的有着广泛的应用前景。但是SiCMOS...
4H-SiC隐埋沟道MOSFET理论和实验研究
论文题目:4H-SiC隐埋沟道MOSFET理论和实验研究论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:郜锦侠导师:张义门关键词:碳化硅,埋沟,工作模式,特性,电流电压关...