埋沟埋栅论文

新型结构的碳化硅MESFET设计与仿真研究
论文摘要SiC材料作为第三代半导体材料的代表之一,以其较宽的禁带宽度、较高的临界击穿电场、载流子饱和漂移速度以及热导率等特性,在高温,抗辐照,高功率等工作条件下具有明显的优势。...