慢正电子束论文

正电子对ZnO和GaN宽带隙半导体中缺陷的研究
论文摘要近年来，以ZnO和GaN为代表的第三代半导体材料由于其独特的物理特性引起了科研人员极大的研究兴趣，这些材料中的点缺陷是影响其性能的重要因素，因此准确鉴别和量化材料中的点...