慢正电子湮灭谱论文

6H-SiC表面热氧化生长的SiO2特性研究
论文摘要碳化硅（SiC）是一种具有较大的电子饱和漂移速度、高临界击穿电场和高热导率的宽禁带化合物半导体材料。它是目前唯一能够由直接热氧化工艺生长氧化层的化合物半导体,其器件工艺...