论文摘要掺铈钇铁石榴石磁光薄膜,由于具有巨法拉第效应,在高性能非互易波导型器件、集成光学型光隔离器等方面得到广泛的应用。掺杂可改善ZnO薄膜的光电性能而成为目前研究的热点,尤其...
论文摘要ZnO是一种纤锌矿结构的宽禁带半导体材料,具有优异的光电特性,而SiO2是一种化学性质稳定的理想的光学透明介质。将纳米ZnO颗粒复合于SiO2中,研究其微观结构特征和尺...
论文摘要本文通过固相反应合成法、经二次预烧结(1000℃、8h)合成了CCTO单相粉末,再经高温烧结得到了较高致密度的CCTO陶瓷材料;研究了烧结工艺(烧结温度、保温时间)和C...
论文摘要KN晶体具有优异的非线性光学性能、电光性能、压电性能和高的居里温度,其在光折变、激光倍频研究领域早已为人们所知。但大尺寸的KN晶体制备成本很高,严重限制了KN的应用,相...
论文摘要随着信息时代的到来,人们对短波长发光器件的需求日益增长,因此人们对宽禁带直接带隙半导体的研究产生了极大的兴趣。氧化锌(ZnO)是一种宽禁带直接带隙(室温下3.37eV)...
论文摘要用高温固相反应法制备了系列掺铒、镱铒共掺硅酸盐玻璃样品,结合镱铒能量传递模型,对铒离子多个波段的光致发光特性进行了分析。镱离子的掺入显著地提高了三价铒离子的泵浦效率和激...
论文摘要ZnO是一种宽带隙的半导体材料,具有六方纤锌矿结构,室温下它的能隙宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,可实现室温下的紫外受激发射,在表面声波器件、紫外光探测器...
论文摘要铁电薄膜在现代微电子、微机电系统、信息存储等方面有着广泛的应用前景,已经成为当前新型功能材料研究的热点之一。钙钛矿结构铁电薄膜如BaTiO3、PbTiO3、Pb(Zr,...
论文摘要IrO2薄膜因具有良好的抗氧化性能、很强的催化活性以及很好的抗腐蚀性等,可广泛应用于电极材料、微电子、固态燃料电池和气敏元件等许多领域。论文基于脉冲激光沉积(PLD)技...
论文摘要本论文研究目的是为制备电子学器件用YBCO薄膜和铁电/YBCO双层膜提供实验参考,并提出一种用热丝化学气相沉积(HFCVD)原位生长MgB2超导薄膜的方法。采用流动氧气...
论文摘要IrO2薄膜具有导电性好,耐腐蚀能力强,并能有效的阻挡高温下元素间(O、Zr、Pb、Ti等)的扩散等特点,已成为高密度动态随机存储器(DRAMs)和非挥发性铁电随机存储...
论文摘要SrTiO3(STO)薄膜在液氮温区具有良好的非线性介电性质,且可与高温超导薄膜,如YBa2Cu3O7-x(YBCO)薄膜,组成异质外延多层薄膜,是研制各种高品质压控微...
论文摘要随着社会经济的迅速发展和环境资源的过度开发,环境污染问题越来越引起人们的极大关注。如有毒有害气体污染和各种水体中的重金属污染已经危害到了人们的生活而日益受到社会的重视。...
论文摘要ZnO是一种直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,其晶体结构、晶格常数和禁带宽度都与GaN非常接近。ZnO最大的优势在于它的激子束缚能很大,约为60meV,是GaN激...
论文摘要本文对钙钛矿锰氧化物薄膜材料的制备、结构以及磁、光响应特性等进行了实验和数值模拟研究,具体研究内容以及所得到的结果和结论总结如下:对高双参杂锰氧化物La1/3(Ca2/...
论文摘要羟基磷灰石(Hydroxyapatite,简称HA或HAP)广泛存在于人类的骨和牙中,具有良好的生物相容性和生物活性,引起了生物医学材料研究者的广泛兴趣。但是人工合成的...
论文摘要氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带(3.37eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有较大的激子束缚能(60meV),理论上可以在室温下实现紫外光的受激发射。同时,ZnO还...
论文摘要由于具有优良的铁电和介电性质,Ba1-xSrxTiO3(BST)薄膜在微波移相器,动态随机存贮器,热释电红外探测器等方面有着很好的应用前景。本文使用固相反应烧结法制备B...
论文摘要动态随机存储器是铁电薄膜的主要应用之一。但是当前这方面的主要候选材料都存在着一定的不足。近来,掺锶的钛酸铅薄膜(PST)以其良好的性能引起了研究者的注意,人们设想用它来...
论文摘要近年来,随着GaN蓝绿光发光管、激光器的迅速发展,ZnO作为一种可以替代GaN的材料受到人们的普遍关注。ZnO是一种直接宽带隙半导体材料,室温下它的能隙宽度为3.37e...