论文摘要半导体纳米材料由于具有优异的的光、电、热、磁等物性,有非常广阔的应用前景,因而受到广泛的关注。CdS是一种非常重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有较大的禁带宽度(2.42ev...
论文摘要纳米半导体材料由于其独特的光、电性能,而广泛引起人们的关注。金属硫族化物是重要的窄带隙半导体材料,尤其是一维纳米金属硫化物,因其优良的非线性光学性质、发光性质、量子尺寸...
论文摘要纳米材料和结构是当今材料领域中十分重要的研究对象,特别是其新颖的物理、化学和生物学特性以及在纳米器件中的应用已成为当今纳米技术的研究热点。如何控制材料的定向生长并实现对...
论文摘要近年来,ZnO纳米棒因其独特的光电性能及其在紫外光电子器件、气体及生物传感器和太阳能电池等方面的潜在应用价值而受到人们的广泛关注,其中关于纳米棒阵列的可控合成和p-型掺...
论文摘要近年来,纳米半导体材料由于其独特的光、电性能,一直是十分活跃的研究领域。如何实现对纳米半导体材料形貌的有效控制是现如今困扰科学家的难题之一。目前已开发了多种方法用于纳米...
论文摘要氧化锌(ZnO)是一种宽禁带直接带隙II–VI族的具有纤锌矿结构的半导体功能材料,室温下禁带宽度Eg为3.37eV,激子束缚能高达60meV,并具有良好的化学稳定性及优...
论文摘要氧化锌作为一种重要的II-VI半导体材料,由于它在电学、光学、机械及声学等方面卓越的性能,已引起人们广泛的兴趣。氧化锌室温下禁带宽度为3.37eV,具有较大的激子束缚能...
论文摘要本论文研究稀土离子掺杂的NaYF4的纳米材料,包括核壳纳米粒子、纳米棒和探索水溶性纳米粒子三部分。我们发展了一个简单而有效的水热合成方法制备了具有核壳结构的钕掺杂的纳米...
论文摘要作为一种直接带隙宽禁带半导体材料,ZnO在短波长光电子器件领域具有广泛的应用前景,但ZnO要作为光电器件应用必须获得性能良好的p型ZnO材料,并实现ZnO同质p-n结。...
论文摘要热电材料是可以实现热能和电能的直接转换特殊意义的功能材料,近年来随着相关理论特别是纳米技术的发展,热电材料的研究进展迅速。理论分析表明,由于更强的量子禁闭效应,与二维的...
论文摘要近年来,ZnO纳米棒因其独特的性能而在光电子器件、气体传感器、抗菌消毒等各方面的应用已经引起人们的广泛关注。同时,随着环境污染的日益严重,ZnO纳米棒在光催化降解有机污...
论文摘要本论文通过软、硬模板法,成功合成了几种新型功能材料:ZnO和TiO2中空纤维、多孔SiO2微球和水溶Na2SO4纳米棒。以亚甲基蓝和甲基橙溶液的脱色研究了ZnO、TiO...
论文摘要氧化锌(ZnO)是一种重要的直接宽带隙化合物半导体材料,具有优良的压电、热点、光电特性,其禁带宽度为3.37eV,室温下激子束缚能高达60meV,远高于其它半导体材料。...
论文摘要本文从有机物和无机物两个方面研究了两种蓝色荧光类材料。这两种材料均有用于蓝色发光二极管领域的应用前景。本文通过800纳米的飞秒激光激发,详细研究了这两类材料在非线性激发...
论文摘要一维纳米材料在基础科学研究和潜在的技术应用方面都非常重要,因此一维纳米材料研究是当前纳米材料科学领域的前沿和热点。本文采用热蒸发的方法制备出ZnO,ZnS,CdS等准一...
论文摘要量子点,即一种特殊的纳米微粒,也称半导体量子点(quantumdots,QDs)或半导体纳米微晶体(semiconductnanocrystals),以其优良、独特的光...
论文摘要本论文研究了钼酸稀土钠盐和稀土氢氧化物微/纳米结构的合成和形貌控制。钼酸稀土钠盐作为一种具有白钨矿结构的四元金属化合物,于近年来在国际上开始被提出研究。由于它具有吸收峰...
论文摘要一维纳米材料的制备与表征是目前晶体生长领域的重要研究方向。本论文的研究涉及两种一维纳米材料:硅纳米线和ZnO纳米棒。硅纳米线(SiNWs)是一种新型半导体光电材料,具有...
论文摘要本论文采用“软模板法”,利用在线形成的油酸胺盐(C17H33COONH(CH3)3)棒状反胶束作为模板剂及结构导向剂,Ti(OBu)4为反应前驱体,利用在线形成的棒状反...
论文摘要界面聚合法由于具有操作容易、条件温和、设备简单、环境友好等优点已引起了人们越来越多的重视,特别在近些年,利用界面聚合成功的制备了具有特殊性能的新材料,如膜、微胶囊、纤维...