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ZnO薄膜p型掺杂的研究及ZnO纳米点的可控生长
论文摘要氧化锌(ZnO)是一种新型的宽禁带化合物半导体材料,具有直接带隙能带结构,室温禁带宽度为3.37eV,对应于近紫外光波段。另外,ZnO还具有60meV的高激子束缚能,其...
碳纳米结构在Si(111)-7×7重构表面的自组装
论文摘要本文主要在超高真空环境下利用分子束外延方式,研究碳在Si(111)-7×7重构表面生长,最终实现了碳纳米点在Si直台阶表面自组装生长。在此基础上探讨纳米点的电输运行为,...