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太阳电池吸收层CuInS2与窗口层ZnO薄膜的制备与性能研究
论文摘要CuInS2(CIS)化合物是带隙宽度为1.53eV的直接带隙半导体,与太阳能光谱匹配较好,吸收系数高达105cm-1,并且对辐射和杂质不是特别的灵敏。在各种薄膜太阳能...
水热法制备垂直取向TiO2阵列薄膜
论文摘要宽禁带半导体金属氧化物材料包括TiO2,SnO2,Fe2O3等,具有良好的气敏性能,受到人们的广泛关注。其中,纳米TiO2气敏材料由于其具有低工作温度、高灵敏度、制备简...