内吸杂论文

快速热处理对直拉单晶硅中氧沉淀和内吸杂的影响
论文摘要集成电路特征线宽的不断减小对直拉（CZ）单晶硅片中的缺陷控制和内吸杂技术提出了愈来愈高的要求。在这种情况下,基于氧沉淀的内吸杂工艺在不断地改进。国际著名的硅片供应商——...
直拉硅单晶的氧沉淀及内吸杂的研究
论文摘要直拉硅（CZ）单晶广泛地用于集成电路的制造中,一个很重要的原因就是它具有与氧沉淀及其诱生缺陷相关的内吸杂（IG）功能。在器件制造的过程中,硅片中产生的氧沉淀及其诱生缺陷...