欧姆接触论文

论文摘要近几年来,在Si衬底上生长GaN取得了很大的进展。相对于不导电的蓝宝石衬底,Si衬底的散热好,价格低,并且已经成功研制出了垂直结构的LED。相对于同侧结构的LED,垂直...

论文摘要小型化、重复频率是脉冲功率技术目前发展的主要方向之一。光导半导体开关（PhotoconductiveSemiconductorSwitch,PCSS）,简称光导开关,是...

论文摘要近十年来，宽禁带半导体电力电子器件已成为半导体领域的研究重点之一。AlGaN/GaN肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，SBD）具有高压、大电流...

论文摘要硅太阳电池正银浆料性能显著影响正面栅线电极的欧姆接触，从而影响电池的光电性能。本文首先研究了银-硅欧姆接触的原理和正银电极工作的机理，详细论证了银-硅欧姆接触电阻和电池...

论文摘要据统计,在低能耗系统中消耗的电能占到总电能使用量的60%至70%,而低能耗系统中的电能绝大多数是消耗于电力变换和电力驱动。功率器件是在提高电力利用效率中起关键作用的,也...

论文摘要GaN半导体材料以其宽带隙、电子饱和速度高等优点,在高温、大功率微波器件领域成为人们研究关注的重要材料。做为潜在的极端恶劣环境下工作的GaN器件,器件参数在恶劣环境下的...

论文摘要GaN基LED作为一种新型的固态光源,具有低功耗,长寿命,高发光效率等优点,在显示、照明、指示方面发挥着越来越大的作用。尽管GaN基LED具有许多性能上的优点,但是仍然...

论文摘要GaN由于其优越的物理性质和在高温高频大功率电子器件中的应用潜力,近年来一直得到了许多研究者的青睐。尤其是当p-GaN材料生长的研究获得很大进展后,双极器件和光电器件受...

论文摘要GaN是制备光电器件（如LED﹑LD）的理想材料。目前,GaN基LED通常采用Ni/Au作为p-GaN接触电极,但当Ni/Au太厚,其透光率低,大大降低了LED发光效率...

论文摘要新一代半导体材料碳化硅（SiC）是制作高温、高频、高功率器件的理想材料,欧姆接触技术是新型半导体材料尤其是宽带隙半导体器件研究的难点和关键技术。欧姆接触不仅与电极材料的...

论文摘要宽禁带半导体材料GaN及其三元合金AlGaN,由于其禁带宽度大、热稳定性和化学稳定性好,在光电子器件,尤其紫外探测器领域有着重要的应用价值。其中探测波段在240-280...

论文摘要类金刚石膜（Diamond-likecarbon）,是一种非晶态的碳材料。由于具有许多同金刚石相近的性质,类金刚石膜技术已经在很多领域得到应用。掺杂的DLC膜作为一种半...

论文摘要目前半导体材料主要以Si和GaAs为主,由于它们在高温条件下一些性能不佳,使得以SiC为代表的第三代半导体材料得到了广泛的关注,SiC材料较高的击穿电压和热导率使器件功...

论文摘要高功率半导体激光器作为一种新型的激光光源具有较高的电光转换效率(40%左右)、可靠的工作稳定性及紧凑的体积和简单的驱动要求,在泵浦固体激光器、工业加工、医疗、信息及军事...

论文摘要SiC具有宽禁带（3.2～3.4eV），高热导率，高饱和电子漂移速率，因此被认为是制作高压，高温，高频器件的重要材料之一。欧姆接触是制作SiC器件中非常重要的一个环节，...

论文摘要宽带隙半导体SiC是制作高温、高频及抗辐射功率器件的理想材料。欧姆接触问题是宽带隙半导体器件研究中的技术难点。欧姆接触不仅与金属电极材料种类有关，还受半导体表面态的影响...

论文摘要本论文对机械抛光的CdZnTe晶片表面化学抛光、化学钝化及接触电极制备原理与方法进行了研究。通过对比实验发现，用2％Br-MeOH对CdZnTe晶片表面进行化学抛光，腐...

论文题目:碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:王平导师:杨银堂关键词:碳化硅,电子霍耳迁移率,蒙特卡罗,金属半导体场效...