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Ni基全硅化物金属栅工艺、特性及表征技术研究
论文摘要随着CMOS器件尺寸的不断变小,一方面由于通过SiO2或SiON栅介质的隧穿电流呈数量级的增大,SiO2和SiON栅介质需要被具有更高介电常数(高k)的介质所取代,另一...