浅沟道隔离论文

论文摘要随着半导体技术的不断发展,器件尺寸越来越小,因而对于器件间的隔离性能的要求也越来越高。进入到0.35μm及以下工艺以后,LOCOS(LocalOxidationofSi...

论文摘要浅沟道隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法,而化学机械平坦化(CMP)技术是当今半导体制造中形成浅沟道隔离(STI)的关键技术。随着工艺技术发展到0.1...