![电场诱导聚合物光伏电池的研究]()
论文摘要太阳能作为可再生清洁能源，资源丰富，而且可以免费使用，正逐步成为近年来国际研究热点。太阳能电池就是一种直接将太阳能转换成电能的装置，目前正得到广泛研究。聚合物光伏电池是...
![有机场效应晶体管电路仿真模型的研究]()
论文摘要有机场效应晶体管(OrganicFieldEffectTransistors,OFETs)是以有机半导体材料作为有源层的晶体管器件。和传统的无机半导体器件相比,有机场效...
![基于Ⅵ的载流子迁移率测试系统的研制]()
论文摘要载流子的迁移率是半导体材料的重要特性参数。通过对迁移率的测量,可以准确掌握不同材料的电输运特性。因此,方便、准确地测量半导体载流子的迁移率,对半导体的研究和生产都具有重...
![单层石墨烯在场效应晶体管中的应用研究]()
论文摘要微电子工业从发展之初到现在,一直都在按照摩尔定律预言的轨迹发展着。但是,随着关键尺寸越来越细,器件也越来越小,微电子工业面临越来越大的挑战。世界各国的研究人员都在寻求各...
![新型纳米器件的电学特性和可靠性研究]()
论文摘要集成电路按照摩尔定律和按比例缩小的规律持续发展。在器件小型化的过程中,出现了许多新的问题。其中,纳米MOSFET的关键可靠性问题：偏压温度不稳定性（BiasTemper...
![有机光电功能材料的瞬态光电压及磁效应研究]()
论文摘要有机小分子太阳能电池由于其良好的应用前景,近十年来一直是研究领域的热门话题之一。然而,以现在有机太阳能电池的效率和寿命,仍旧远远不能满足工业化的要求。由于人们对有机太阳...
![废电脑酸洗废水中重金属Cu2+、Pb2+的处理]()
论文摘要重金属废水成分复杂、毒性大,尤其是废水中含有多种有害金属离子,不能被环境中的微生物降解,会通过食物链逐渐富集,对人和生物有很强的毒害作用。研究去除重金属废水中有害金属离...
![多晶GaN薄膜的制备与特性研究]()
论文摘要本文通过MOCVD方法制备了多晶GaN薄膜,并且得出了我们MOCVD系统生长多晶GaN薄膜的优化生长条件,较系统地分析了不同生长条件与退火工艺对样品结构组分,表面形貌,...
![瞬态电磁脉冲的传输特性和实验研究]()
论文摘要瞬态电磁脉冲对电子设备的致命威胁是上个世纪60年代发现的。由于其具有陡峭的前沿和较宽的频谱,因此在很多应用领域中优于正弦波信号。而光导开关,由于具有触发无抖动、寄生电抗...
![直流反应磁控溅射法制备新型透明导电ZnO：Mo薄膜的研究]()
论文摘要采用直流磁控反应溅射技术由金属镶嵌Zn/Mo靶制备高价态差掺钼氧化锌ZnO:Mo（zMO）透明导电薄膜。研究了钼掺杂量和基片温度等参数对ZMO薄膜结构和光电性能的影响。...
![SiC高温电学特性研究]()
论文摘要目前半导体材料主要以Si和GaAs为主,由于它们在高温条件下一些性能不佳,使得以SiC为代表的第三代半导体材料得到了广泛的关注,SiC材料较高的击穿电压和热导率使器件功...
![高k栅介质Ge MOS器件迁移率模型及制备工艺研究]()
论文摘要随着器件尺寸的不断缩小和电路集成度的不断提高,高k/多晶硅栅结构中的费米钉扎使得多晶硅不再是理想的栅电极。有研究称高k/金属栅结构不仅可以获得低栅薄层电阻、无耗尽的栅、...
![改进的并行遗传算法在知识库中的应用研究]()
论文摘要生产调度问题属于组合优化问题。将优化方法的理论研究引入到车间生产调度领域中,改进算法性能、拓宽算法应用领域、完善算法体系,是一个同时具有理论意义和应用价值的课题,具有重...
![高k栅介质Si/Ge MOSFET迁移率模型及制备工艺研究]()
论文摘要在过去的几十年中,用于低功耗、高性能CMOS场效应晶体管栅介质SiO2的厚度持续减小,目前,对于纳米级CMOS器件已减小到只有几个原子层的极限厚度,使栅极漏电和静态功耗...
![GaN基功率型LED器件及汽车前照灯散热研究]()
论文摘要发光二极管（LED）被称为二十一世纪的光源。然而随着发光二极管功率的不断增大,热流密度也不断增大,散热问题已经成为制约其发展和应用的瓶颈,因此必须不断改善LED器件及应...
![纤锌矿n-GaN的补偿度及迁移率模型]()
论文摘要Chin等人以载流子浓度和补偿度为参量，运用变分原理从理论上计算得到了室温电子迁移率的变化图线，他们的研究成果，被大量文献引用来评估GaN材料的补偿度。然而，根据他们的...
![有机/无机簇合物发光材料和新型空穴传输材料的设计、合成及其器件的研制]()
论文摘要自从1987年美国C．W．Tang和VanSlyke对有机电致发光器件(OrganicLightEmittingDiodes，OLEDs)完成的开创性工作以来，有机电致...
![氮掺杂p型ZnO薄膜材料的制备及光电性质研究]()
论文摘要氧化锌（ZnO）是一种具有六方结构的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，室温下其激子束缚能高达60meV，这一特性使ZnO具备了室温下高效率激子发光的有利条件。因此，ZnO已经成...
![棉铃虫组织蛋白酶B及前导肽的重组表达及性质研究]()
论文摘要棉铃虫组织蛋白酶B参与胚胎发育中的卵黄蛋白水解过程,本实验室前期工作从棉铃虫卵巢中纯化到一种半胱氨酸蛋白酶,通过氨基酸序列分析鉴定为组织蛋白酶B。该蛋白酶具有高水解活性...
![氮化镓外延膜红外椭圆偏振光谱的研究]()
论文摘要GaN和Ⅲ族氮化物材料是近年来光电子领域的研究热点,GaN材料生长方面有了重大突破,而在基于GaN材料的高功率LED、脉冲连续LD以及盲阳紫外探测器方面都取得了显著成绩...
