气敏特性论文

论文摘要在电子器件领域,学者们对研究有机物质的兴趣一直比较浓厚,例如将CuPc薄膜用于气体传感器的敏感层,这是由于有害气体对金属酞菁配合物（MPc）的薄膜电学性能有较大影响。一...

论文摘要近年来,功能金属氧化物由于其特殊的物理性能引起了研究者越来越多的关注,SnO2就是其中最关键性的材料之一。SnO2是一种n型宽带隙氧化物半导体,其禁带宽度Eg=3.6e...

论文摘要SnO2是一种宽带隙(3.6eV)的N型半导体,具有优异的光电特性、催化和气敏特性,因而在透明导电薄膜、传感器、锂电池、太阳能电池、催化剂以及光学技术等方面具有广泛的用...

论文摘要由于一维（1D）氧化物纳米功能材料具有独特的物理性质和潜在的应用价值,而获得了研究者的青睐,并发展成为了一个富有新鲜感以及充满新机会的研究领域。在诸多关于一维功能材料的...

论文摘要ZnO薄膜是一种Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体材料,具有资源丰富、无毒性、在等离子体中稳定等优点,被认为是最有希望取代广泛使用的、稀有而昂贵的锡掺杂氧化铟（ITO）的透明导电...

论文摘要氧化锌（ZnO）是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料,为六角纤锌矿结构,晶格常数a=0.3250nm,c=0.5206nm。纳米ZnO具有优异的电学、光学、气敏、光催...

论文摘要采用真空热蒸发法在玻璃衬底制备纳米Sn薄膜,在空气或氧气气氛下对薄膜进行氧化、热处理,获得性能良好的SnO2纳米多晶薄膜。采用同样方法制备稀土金属镝（钕、镧）掺杂纳米S...

论文摘要在一定浓度Cl-，SO42-或F的存在下，利用Fe3+溶液的水热反应分别得到α-Fe2O3纳米立方体，α-FeOOH纳米棒组装的微球，α-Fe2O3六边形纳米环、十四面...

论文摘要SnO2是一种宽带隙n型半导体材料,室温下能隙宽度为3.67eV,有良好的化学稳定性、光学各向异性等特点。SnO2薄膜由于具有对可见光透光性好、紫外吸收系数大、电阻率低...

论文摘要气体传感器作为新型敏感元器件,近年来有了很大的发展,其核心薄膜型气敏材料以其独特的微观结构和物理、化学性能以及优良的表面特性主导了气敏技术的发展方向。金属酞菁配合物(M...

论文摘要随着人民生活水平的提高和对环保的日益重视,人们对各种有毒、有害气体的检测提出了更高的要求。气敏材料是气敏传感器的核心部分,因此气敏材料的合成及其气敏性能的研究显得越发重...

论文摘要本文采用热氧化法（thermaloxidationmethod）和固相反应法（solidstatereactionmethod）制备了纳米ZnO/Co3O4、SnO2/...

论文摘要本文通过丝网印刷技术和气溶胶辅助化学气相沉积技术研究了气敏膜的制备及膜的气敏特性。采用水热法分别制备纳米SnO2和In2O3粉体,通过加入微量In2O3掺杂,并调节玻璃...

论文摘要纳米三氧化钨是重要的半导体材料,在信息存储、变色窗、燃料电池、化学传感器等领域有着广泛的应用前景,成为目前最具开发潜力的材料之一。而特殊结构和形貌是影响材料性质的主要因...

论文摘要气敏传感器作为新型敏感元件传感器,今年来有了很大的发展。薄膜型气敏材料以其独特的微观结构和物理、化学性能,优良的表面特性主导了气敏技术的发展方向,对薄膜型气敏材料的掺杂...

本文主要研究内容作者林珑,吕程,李海（2019）在《α-MoO3纳米棒的制备及其NOx气敏研究》一文中研究指出：利用水热法制备了正交相三氧化钼（α-MoO3）纳米棒,通过X射线...