• TiC/n型4H-SiC半导体欧姆接触研究

    TiC/n型4H-SiC半导体欧姆接触研究

    论文摘要新一代半导体材料碳化硅(SiC)是制作高温、高频、高功率器件的理想材料,欧姆接触技术是新型半导体材料尤其是宽带隙半导体器件研究的难点和关键技术。欧姆接触不仅与电极材料的...
  • SiC表面ECR氢等离子体处理研究

    SiC表面ECR氢等离子体处理研究

    论文摘要SiC是第三代半导体材料,由于其禁带宽度大、热传导率高、热稳定性好,在高温、高频、大功率电子器件领域将会得到广泛的应用。但是SiC晶片表面存在很高的表面念,不利于制备良...
  • 岳嘉盛:富含氧缺陷锰氧化物及其电化学性能的研究论文

    岳嘉盛:富含氧缺陷锰氧化物及其电化学性能的研究论文

    本文主要研究内容作者岳嘉盛(2019)在《富含氧缺陷锰氧化物及其电化学性能的研究》一文中研究指出:随着全球经济的飞速发展,能源短缺等问题日益凸显。超级电容器,因其具有较高功率密...