氢化物气相外延论文

氢化物气相外延生长GaN的数值模拟
论文摘要本文采用有限元分析软件,根据数值模拟原理,对生长GaN用的氢化物气相外延（HVPE）反应室进行了模拟。网格划分采取非结构网格与适应性网格相结合的方式。对衬底高度的改变（...
氢化物气相外延生长GaN材料及其物性分析
论文摘要近年来，GaN基半导体材料和器件取得了很大的进展，但是由于缺乏合适的衬底，限制了器件性能的进一步提高。氢化物气相外延（HVPE）技术由于生长速率高，能提供生长GaN自支...
孙秀秀：HVPE生长GaN的气相反应研究及反应器设计优化论文
本文主要研究内容作者孙秀秀（2019）在《HVPE生长GaN的气相反应研究及反应器设计优化》一文中研究指出：GaN是一种重要的宽禁带半导体材料,广泛应用于半导体照明和大功率电力...