气相生长机理论文

氮化铝纳米线的合成与生长机理研究
论文摘要氮化铝（AlN）作为一种重要的Ⅲ族氮化物,是一种直接带隙半导体材料,其禁带宽度为6.2eV,在蓝、绿光和紫外光高频段的光电子器件领域有着极大的应用潜力,受到了人们极大的...