缺陷分布论文

GaN材料的缺陷分布及工艺设计对器件性能的影响研究
论文摘要第三代半导体材料GaN,具有直接带隙、大禁带宽度（室温下3.39eV）、强击穿电场（3MV/cm）、高电子饱和漂移速度（3×107cm/s）、和良好化学稳定性等优异特性...