• 硅基应变与弛豫材料的缺陷机理与表征研究

    硅基应变与弛豫材料的缺陷机理与表征研究

    论文摘要应变SiGe和应变Si以其相对于体Si的诸多优点,成为遵循摩尔定律发展的新材料技术。由于SiGe与衬底之间存在较大的晶格失配,所以异质外延得到的薄膜往往具有很高的位错密...