热存储论文

GaN基HEMT高温特性及热可靠性研究
论文摘要第三代半导体材料GaN由于具有击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等优良特点,因此相关器件在高温、大功率应用方面具有非常广阔的应用前景。虽然近年来对GaN基HEMT...