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离子注入掺杂及退火处理对ZnO薄膜性能影响的研究
论文摘要氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带(室温下Eg=3.37eV)直接带隙半导体材料,其激子束缚能高达60meV。在紫外光探测器、短波长发光二极管、激光器二极管、太阳能电池...