论文摘要本论文研究了采用热蒸发法,利用自制的简易装置制备碲纳米线。系统研究了实验装置、蒸发源材料、蒸发温度、加热时间和催化剂等因素对Te纳米线生长的影响。在此基础上,确定了适宜...
论文摘要本文采用热蒸发法,以ZnS粉末为基本源材料制备了ZnS及其Sn掺杂一维纳米结构,通过Zn和S粉末反应制备了分支状ZnS及其Sn掺杂微纳米结构、球状ZnS微纳米结构和Mn...
论文摘要ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,远大于室温热能(26meV),因而理论上会在室温下获得高效的紫外激子发光和激...
论文摘要第三代半导体材料中的ZnO和GaN的禁带宽度都在3.4eV左右,它们的发光波长在紫外波段,这个属性使得它们在半导体材料中处于不可取代的位置。氧化锌(ZnO)是一种直接宽...
本文主要研究内容作者程文德,张家伟(2019)在《四角锥氧化锌的制备及其强蓝光发射性质研究》一文中研究指出:采用热蒸发锌(Zn)粉的方法制备了大量的ZnO纳米棒状和四角锥状结构...
本文主要研究内容作者姜佳良,张骏,宋志超(2019)在《花状TeO2微/纳米结构的制备及Raman光谱研究》一文中研究指出:以Bi2Te3粉末为原料,采用热蒸发的方法成功制备出...