日光盲论文

AlxGa1-xN的MOCVD外延生长及日盲p-i-n型焦平面阵列探测器的研制
论文摘要第三代半导体GaN与AlN合成的AlxGa1-xN三元合金晶体材料随着Al组分的变化其禁带宽度不但变化范围大（3.4eV～6.2Ev）且连续可调,对应吸收光的波段在20...
GaN基p-i-n紫外探测器研究
论文摘要宽禁带半导体材料GaN及其三元合金AlGaN,由于其禁带宽度大、热稳定性和化学稳定性好,在光电子器件,尤其紫外探测器领域有着重要的应用价值。其中探测波段在240-280...