![栅氧退化效应下SRAM软错误分析与加固技术研究]()
论文摘要目前,集成电路制造工艺进入纳米时代,软错误问题已经成为影响集成电路可靠性的主要因素。同时,栅氧化层厚度随着工艺进步逐渐减小,栅氧退化效应对软错误问题的影响也日益严重。因...
![深亚微米SRAM存储单元稳定性研究]()
论文摘要在深亚微米工艺条件下,芯片内部可变性日益增加,电源电压VDD日渐降低,使得SRAM存储单元稳定性受到一定影响,所以我们需要一种简单高效的稳定性判断方法来提高设计时间。并...
![深亚微米FPGA互连抗软错误方法研究]()
论文摘要FPGA具有出色的现场可编程和通用灵活性,因此被广泛用于国防装备、民用通信、消费类电子产品、汽车、医疗等领域。然而,随着半导体工艺技术的发展,节点电容和电源电压的减小加...
![组合电路软错误敏感性分析与加固]()
论文摘要由于特征尺寸的减少、电源电压的降低和频率的升高,使得组合电路越来越容易受到软错误的影响。本文主要研究了组合电路软错误敏感性分析和电路加固方法。对于晶体管软错误敏感性的分...
![SDR平台抗SEU性能评价关键技术研究]()
论文摘要随着空间科学和探索活动的快速发展,传统空间无线电技术已经难以满足日益多样化复杂化的空间任务的需求,软件定义无线电（SDR,SoftwareDefinedRadio）技术...
![抗软错误TCAM设计]()
论文摘要三态可按内容寻址存储器(TCAM)是一种特殊的存储器,它不仅可以像传统存储器一样读、写,还可以进行高速的数据搜索,因而被广泛地用作CPU里的Cache、TLB和路由器里...
![高可靠处理器体系结构研究]()
论文摘要随着处理器逐步采用纳米级制造工艺,在处理器性能得到大幅提高的同时,由于集成电路特征尺寸的减小、电源电压的降低和频率的升高,使得处理器对于串扰、电压扰动、电磁干扰以及辐射...
