软错误率论文

栅氧退化效应下SRAM软错误分析与加固技术研究
论文摘要目前,集成电路制造工艺进入纳米时代,软错误问题已经成为影响集成电路可靠性的主要因素。同时,栅氧化层厚度随着工艺进步逐渐减小,栅氧退化效应对软错误问题的影响也日益严重。因...
逻辑电路软错误率评估模型设计与实现
论文摘要以数字集成电路为基础的各类微处理器和微控制器广泛应用于社会的各个行业,处于信息采集和处理的中心位置。由于集成电路的基础地位,其可靠性就成为了整个系统正常工作的重要因素,...