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氮和磷掺杂对3C-SiC光学性质的影响
论文摘要碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一种宽禁带、高热导率、大击穿电场和高饱和速率、小介电常数的半导体材料,非常适合于制造耐高温、大功率、高频电子和光电子器件...
瞬态高功率电磁脉冲源研究
论文摘要近几十年来,作为一门新兴学科,由光子学与电子学相结合而产生的光电子学科有着巨大的发展。特别是超短激光脉冲技术与超快响应光电半导体材料技术的进步,使得大功率瞬态电磁脉冲发...