扫描应力论文

论文摘要本文主要研究了非晶硅薄膜晶体管（a-SiTFT）在栅漏电应力条件下的的退化特征,并分析其相应退化机制。在正栅压（Vg）应力下,缺陷态的产生（statecreation）...