栅介质论文

论文摘要微电子工业的发展，对集成电路密度和性能提出了越来越高的要求，栅介质层的厚度也随之变得越来越薄。由于栅介质氧化层的直接隧穿而引起的静态功率损耗随之成指数形式增长，传统的S...

论文题目:硅基高κ材料的分子束外延生长论文类型:博士论文论文专业:凝聚态物理作者:徐闰导师:蒋最敏关键词:高材料,栅介质,分子束外延,二氧化铪,三氧化二饵文献来源:复旦大学发表...