栅氧可靠性论文

氮离子注入对栅氧化层TDDB可靠性的影响
论文摘要随着技术的不断发展,为了满足器件性能的要求,超大规模集成电路（ULSI）的栅氧化层的厚度不断的减薄,由20-30nm降至几个纳米。然而,满足器件性能要求的工作电压却不能...