栅增强论文

碳化硅功率UMOSFET器件结构设计及特性研究
论文摘要由于碳化硅材料具有高击穿电场、高热导率、高电流密度、大禁带宽度、强抗辐射性等优良的性能,使碳化硅功率器件适用于大功率、高温度、高辐射等极端环境,因此碳化硅功率半导体器件...
功率UMOSFET器件新结构及其特性研究
论文摘要功率槽栅MOS（UMOSFET）是在VDMOS和VMOS基础上发展起来的一种功率半导体器件,由于功率UMOSFET可以从工艺技术上有效的降低器件的特征导通电阻（RON）...