栅致漏极泄漏论文

超深亚微米CMOS器件GIDL电流及其可靠性研究
论文摘要栅致漏极泄漏(GIDL)电流已经成为影响小尺寸MOS器件可靠性、功耗等方面的主要原因之一,它同时也对EEPROM等存储器件的擦写操作有重要影响。当工艺进入超深亚微米时代...